温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FH8815
N沟道增强型功率MOSFET 1个N沟道 耐压:20V 电流:6.3A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 是N-Channel增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNMD2167无铅。
- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH8815
- 商品编号
- C2928997
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.048克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21.5mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 850pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的POWERTRENCH工艺制造，该工艺经过优化，可在保持卓越开关性能的同时，将导通电阻降至最低。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 88 A条件下，RDS(on) = 2.91 mΩ（典型值）
- 低品质因数RDS(on)*QG
- 低反向恢复电荷Qrr
- 软反向恢复体二极管
- 可实现同步整流的高效率
- 快速开关速度
- 经过100% UIL测试
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
- ATX/服务器/电信电源的同步整流
- 电池保护电路
- 电机驱动和不间断电源
- 可再生能源系统