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FH8810BT6
1个N沟道 耐压:20V 电流:6.3A
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- 描述
- N沟道增强型MOS场效应晶体管。使用先进的沟槽技术和设计，以低栅极电荷提供出色的导通电阻RDS(ON)。适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。是无铅产品。
- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH8810BT6
- 商品编号
- C2928991
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.152克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 4.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 850pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 127pF |
商品概述
FH8205采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。