温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FH8810
N沟道增强型功率MOSFET 1个N沟道 耐压:20V 电流:8A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，可在低至1.8V的栅极电压下工作。适用于负载开关或PWM应用，具备ESD保护。
- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH8810
- 商品编号
- C2928992
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.045克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 29mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.18nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 230pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.18nF |
商品概述
FH8200采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS = 20V,D = 8A
- RDS(ON) < 18 mΩ(最大值)@ VGS = 4.5 V
- RDS(ON) < 23 mΩ(最大值)@ VGS = 2.5 V
- ESD等级:2000V HBM
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
应用领域
- 单向负载开关
- 双向负载开关