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FH8205
N沟道增强型MOSFET 2个N沟道 耐压:16V 电流:4.5A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH8205
- 商品编号
- C2928988
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.048克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 16V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 31mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 498pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 67pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品特性
- 快速开关
- 提供绿色环保器件
- 适用于1.5V栅极驱动应用
应用领域
- 笔记本电脑
- 负载开关
- 网络设备
- 手持仪器