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WSP4606A
N沟道+P沟道 耐压:30V 电流:6.8A
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- 描述
- Configuration N+P Type P-Ch VDS(V) -30 VGS(V) 20 ID(A)Max. -5.6 VGS(th)(v) -1.5 RDS(ON)(m?)@4.333V 60 Qg(nC)@4.5V 13.6 QgS(nC) 2.5 Qgd(nC) 3.2 Ciss(pF) 760 Coss(pF) 140 Crss(pF) 95
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSP4606A
- 商品编号
- C2758419
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 760pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 95pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品概述
WSK140N03是一款高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSK140N03符合RoHS和绿色产品要求，100%经过EAS测试，具备完整的功能可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 100% EAS保证
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 高频负载点同步降压转换器-网络DC-DC电源系统