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WSD3056DN33
2个N沟道 耐压:30V 电流:35A
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- 描述
- WsD3056DN33是一款高性能沟槽式双N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻Rps(on)和栅极电荷。WsD3056DN33符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过功能可靠性认证，确保产品质量。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSD3056DN33
- 商品编号
- C2758429
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 27W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 620pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 85pF |
商品概述
WSD3056DN33是高性能沟槽式双N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)和栅极电荷。WSD3056DN33符合RoHS和绿色产品要求,100%保证 EAS ,并通过全功能可靠性认证。