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WSD3075DN56
N沟道 耐压:30V 电流:75A
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- 描述
- Configuration Single Type N-Ch VDS(V) 30 VGS(V) 20 ID(A)Max. 75 VGS(th)(v) 1.5 RDS(ON)(m?)@4.192V 11 Qg(nC)@4.5V 12.6 QgS(nC) 4.2 Qgd(nC) 5.1 Ciss(pF) 1317 Coss(pF) 163 Crss(pF) 131
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSD3075DN56
- 商品编号
- C2758430
- 商品封装
- DFN5X6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 46W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.844nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 183pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 228pF |
商品概述
WSP9435是一款高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 WSP9435符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制能力
- 提供环保型器件
应用领域
- 笔记本电脑、便携式设备和电池供电系统的电源管理
- 静电放电（ESD）防护能力：2KV