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WSP9936
2个N沟道 耐压:20V 电流:8A
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- 描述
- WSP9936 是一款具有极高单元密度的高性能沟槽 N 沟道 MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSP9936 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，并通过了全面的功能可靠性认证。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSP9936
- 商品编号
- C2758438
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 520pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 105pF |
商品概述
WSF20N06是具有极高单元密度的高性能沟槽N沟道MOSFET，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 WSF20N06符合RoHS标准和绿色产品要求。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的Cdv/dt效应抑制能力
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 适用于笔记本电脑(MB)、上网本(NB)、超便携个人电脑(UMPC)和显卡(VGA)的高频负载点同步小功率开关
- 网络直流-直流电源系统
- 静电放电(ESD)防护等级为2kV