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WSR10N65F
N沟道 耐压:650V 电流:10A
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- 描述
- N沟道 650V 10A 600mΩ TO-220F-3L，可应用于电源、医疗设备、LED控制器、汽车电子、户外设备、大家电
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSR10N65F
- 商品编号
- C2758449
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.797克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 800mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 39W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.12nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 130pF |
商品概述
WSR10N65F是高性能沟槽N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。WSR10N65F符合RoHS标准和绿色产品要求,100%经过EAS测试,具备完整的可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的Cdv/dt效应抑制
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 开关模式电源(SMPS)中的AC/DC电源转换
- 不间断电源(UPS)
- 适配器