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WSR80P06
P沟道 耐压:60V 电流:50A
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- 描述
- P沟道 -60V -50A 13mΩ TO-220-3L，可应用于电子烟、无线充、电机、BMS、应急电源、无人机、医疗、车充、控制器、3D打印机、数码产品、小家电、消费类电子
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSR80P06
- 商品编号
- C2758450
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.133克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 86.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.635nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 141pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 224pF |
商品概述
WSD4023DN56是具有极高单元密度的高性能沟槽型N沟道和P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD4023DN56符合RoHS标准和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力（EAS），且经过全面的功能可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 100%保证抗雪崩能力（EAS）
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 用于移动主板（MB）/笔记本电脑（NB）/超移动个人计算机（UMPC）/显卡（VGA）的高频负载点同步降压转换器
- 网络直流-直流电源系统
- 冷阴极荧光灯管（CCFL）背光源逆变器