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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

WSR4N65F

1个N沟道 耐压:650V 电流:4A

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描述
是高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。符合RoHS和绿色产品要求，100%保证雪崩能量，具备完整的功能可靠性。
品牌名称
WINSOK(微硕)
商品型号
WSR4N65F
商品编号
C2758452
商品封装
TO-220F​
包装方式
管装
商品毛重
1.8克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)4A
导通电阻(RDS(on))3Ω@10V
耗散功率(Pd)39W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)10.2nC@10V
输入电容(Ciss)550pF
反向传输电容(Crss)2.3pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)46pF

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