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WSD4023DN56
1个N沟道+1个P沟道 耐压:40V 电流:32A
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- 描述
- WSD4023DN56 是一款高性能沟槽式 N 沟道和 P 沟道 MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD4023DN56 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100% 经过 EAS 认证，具备全面的功能可靠性。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSD4023DN56
- 商品编号
- C2758437
- 商品封装
- DFN-8(5.2x5.5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.004nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 108pF |
商品概述
WST2303是一款高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 WST2303符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
~~- 先进的高单元密度沟槽技术-超低栅极电荷-出色的Cdv/dt效应抑制-提供绿色环保器件
应用领域
- 笔记本电脑（MB）、上网本（NB）、超便携个人电脑（UMPC）、视频图形阵列（VGA）的高频负载点同步小功率开关
- 网络直流-直流电源系统
- 负载开关