温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
WSD4080DN56
N沟道 耐压:40V 电流:85A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- N沟道 40V 85A 4.5mΩ DFN5X6-8L，可应用于小家电、手持家电、马达电机
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSD4080DN56
- 商品编号
- C2758432
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.159克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 85A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 52.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.354nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 175pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 215pF |
商品概述
WSD80100DN56是具有极高单元密度的高性能沟槽N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 WSD80100DN56符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，具备完整的可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 100%耐雪崩能力(EAS)保证
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源