温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
WSD100N06GDN56
1个N沟道 耐压:60V 电流:100A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- WSD100N06GDN56是一款具有极高单元密度的SGT MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（Rpson）和栅极电荷。WSD100N06GDN56符合RoHS标准和绿色产品要求，100%保证符合EAS标准，并通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSD100N06GDN56
- 商品编号
- C2758433
- 商品封装
- DFN-8-EP(5.8x5.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.188克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 240W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 58nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.458nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 22pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 1.522nF |
商品概述
WSP8810 是高性能沟槽型 N 沟道 MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 WSP8810 符合 RoHS 和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
~~- 先进的高单元密度沟槽技术-超低栅极电荷-出色的 Cdv/dt 效应抑制-提供绿色环保器件
应用领域
- 用于移动电脑（MB）、笔记本电脑（NB）、超便携个人电脑（UMPC）、视频图形阵列（VGA）的高频负载点同步小功率开关
- 网络直流-直流电源系统
- 静电放电（ESD）防护能力：2KV