温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
WSF80N06H
耐压:60V 电流:70A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- Configuration Single Type N-Ch VDS(V) 60 VGS(V) 20 ID(A)Max. 70 VGS(th)(v) 2.9 RDS(ON)(m?)@4.379V - Qg(nC)@4.5V 28.7 QgS(nC) 10.5 Qgd(nC) 9.9 Ciss(pF) 3240 Coss(pF) 210 Crss(pF) 146
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSF80N06H
- 商品编号
- C2758421
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.005克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 52W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.24nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 146pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 210pF |
商品概述
WSD3810DN33是一款高性能沟槽式双N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷。 WSD3810DN33符合RoHS标准和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力（EAS），并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制能力
- 100%保证具有抗雪崩能力（EAS）
- 有绿色环保器件可选
应用领域
- 用于移动电脑（MB）、笔记本电脑（NB）、超便携个人电脑（UMPC）、显卡（VGA）的高频负载点同步降压转换器
- 网络直流-直流电源系统
- 负载开关