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WSP8810
N沟道 耐压:20V 电流:7.5A
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- 描述
- Configuration Dual+ESD Type N-Ch VDS(V) 20 VGS(V) 12 ID(A)Max. 7.5 VGS(th)(v) 0.7 RDS(ON)(m?)@4.265V 11.5 Qg(nC)@4.5V 13.5 QgS(nC) 1.5 Qgd(nC) 5.8 Ciss(pF) 900 Coss(pF) 175 Crss(pF) 160
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSP8810
- 商品编号
- C2758428
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.09克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 900pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 160pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 175pF |
商品概述
WSD3075DN56是一款高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 WSD3075DN56符合RoHS标准和绿色产品要求，100%保证具有EAS特性，且通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制能力
- 100%保证具有EAS特性
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源