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WSF3055
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:24A
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- 描述
- WSF3055采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSF3055
- 商品编号
- C2758422
- 商品封装
- TO-252-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.381克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 18.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 975pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 142pF |
商品概述
WSF80N06H采用先进的VD MOS技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷和快速开关。该器件经过专门设计，具备更好的耐用性，适用于低导通电阻RDS(ON)和品质因数(FOM)、极低的开关损耗、出色的稳定性和均匀性的逆变器应用。
商品特性
~~- 先进的高单元密度沟槽技术-提供环保型器件-出色的Cdv/dt效应抑制能力-超低栅极电荷
应用领域
- 负载开关-电池保护-不间断电源