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WST2303
P沟道 耐压:20V 电流:3.8A
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- 描述
- Configuration Single Type P-Ch VDS(V) -20 VGS(V) 8 ID(A)Max. -3.8 VGS(th)(v) -0.5 RDS(ON)(m?)@4.83V 65 Qg(nC)@4.5V 10.1 QgS(nC) 1.21 Qgd(nC) 2.46 Ciss(pF) 677 Coss(pF) 82 Crss(pF) 73
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WST2303
- 商品编号
- C2758426
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 948pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 102pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 115pF |
商品概述
WSD4080DN56是一款高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD4080DN56符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过耐雪崩能力（EAS）测试，并经过全面功能可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 100%耐雪崩能力（EAS）保证
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源