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WSG03N10
1个N沟道 耐压:100V 电流:4.8A
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- 描述
- WSG03N10是一款高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSG03N10符合RoHS标准和绿色产品要求，且通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSG03N10
- 商品编号
- C2758427
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.192克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 960pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 47pF |
商品概述
WSD3067DN56是高性能的沟槽型N沟道和P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 WSD3067符合RoHS标准和绿色产品要求，100%保证通过全功能可靠性测试。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 100%保证通过雪崩耐量测试（EAS）
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 同步整流
- 电机控制
- 大电流、高速开关
- 便携式设备应用