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SIC781CD-T1-GE3
SIC781CD-T1-GE3
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIC781CD-T1-GE3
- 商品编号
- C2653451
- 商品封装
- MLP66-40(6x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 工作电压 | 4.5V~16V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特性 | 过热保护 | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
商品概述
SiC781是一款针对同步降压应用优化的集成功率级解决方案，可提供大电流、高效率和高功率密度性能。SiC781采用威世（Vishay）专有的MLP 6 mm×6 mm封装，使电压调节器设计能够实现每相高达50 A的电流输出。 内部功率MOSFET采用了威世先进的沟槽MOSFET技术，达到行业基准性能，可显著降低开关损耗和传导损耗。 SiC781集成了先进的MOSFET栅极驱动IC，具有大电流驱动能力、自适应死区时间控制、集成自举肖特基二极管，以及可在结温过高时向系统发出警报的热警告（THWn）功能。该驱动器与多种PWM控制器兼容，支持三态PWM逻辑（5 V）以及零电流检测，以提高轻载效率。
商品特性
- 热增强型PowerPAK MLP66-40L封装
- 集成肖特基二极管的行业基准MOSFET
- 可提供高达50 A的连续电流
- 引脚和功能与NCP5369N兼容
- 高达1 MHz的高频工作频率
- 针对12V输入轨应用进行优化
- 具有三态阈值的5 V PWM逻辑
- 零电流检测，在不连续模式下关断低端MOSFET
- 短PWM传播延迟（<20 ns）
- 配合安森美（ON Semiconductor）的NCP5133和NCP6133控制器，支持英特尔PS2要求
- 热监测标志
- 更快的使能/禁用功能
- V_CIN欠压锁定（UVLO）
应用领域
- 同步降压转换器
- 用于CPU、GPU和内存的多相VRD
- DC/DC负载点（POL）模块