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SIC521ACD-T1-GE3

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品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SIC521ACD-T1-GE3
商品编号: C2653455
商品封装: MLP4535-22L(3.5x4.5)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.001克(g)

商品参数

商品概述

SiC521和SiC521A是专为同步降压应用优化的集成功率级解决方案，可提供高电流、高效率和高功率密度性能。SiC521和SiC521A采用威世（Vishay）专有的4.5 mm×3.5 mm MLF封装，使电压调节器设计能够每相提供高达30 A的连续电流。内部功率MOSFET采用了威世最先进的第四代TrenchFET技术，该技术达到行业标杆性能，可显著降低开关和传导损耗。 SiC521和SiC521A集成了先进的MOSFET栅极驱动IC，具有高电流驱动能力、自适应死区时间控制、集成自举肖特基二极管和零电流检测功能，以提高轻载效率。这些驱动器还与多种PWM控制器兼容，支持三态PWM以及3.3 V（SiC521A）/ 5 V（SiC521）PWM逻辑。

商品特性

热增强型PowerPAK MLP4535-22 L封装，符合RoHS标准
威世第四代MOSFET技术，低侧MOSFET集成无卤肖特基二极管
可提供高达30 A的连续电流，10 ms峰值电流可达40 A
峰值效率达95%
最高可实现1.5 MHz的高频运行
功率MOSFET针对12 V输入级进行优化
具有三态和关断功能的3.3 V（SiC521A）/ 5 V（SiC521）PWM逻辑
零电流检测控制，提高轻载效率
低PWM传播延迟（<20 ns）
VCIN欠压锁定

应用领域

用于CPU、GPU和内存的多相VRD
同步降压转换器
DC/DC VR模块

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(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)

个

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	-
	拉电流(IOH)	-
	工作电压	4.5V~18V

	属性	参数值
	上升时间(tr)	-
	下降时间(tf)	20ns
	传播延迟 tpLH	-
	传播延迟 tpHL	-
	特性	-
	工作温度	-40℃~+125℃