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SIC632ACD-T1-GE3
集成功率级解决方案，适用于同步降压应用，提供大电流、高效率和高功率密度
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- 描述
- SiC632和SiC632A是专为同步降压应用优化的集成功率级解决方案，可提供大电流、高效率和高功率密度性能。SiC632和SiC632A采用威世（Vishay）专有的5 mm × 5 mm MLP封装，使电压调节器设计能够每相提供高达50 A的连续电流。内部功率MOSFET采用了最先进的第四代TrenchFET技术，该技术达到了行业标杆性能，可显著降低开关损耗和传导损耗
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIC632ACD-T1-GE3
- 商品编号
- C2653473
- 商品封装
- MLP55-31L(5x5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 工作电压 | 4.5V~24V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特性 | 欠压保护(UVP)；过热保护(OPT) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 2.3V~2.7V | |
| 输入低电平(VIL) | 720mV~1.1V | |
| 静态电流(Iq) | 300uA |
商品概述
SiC632和SiC632A是为同步降压应用优化的集成功率级解决方案，可提供高电流、高效率和高功率密度性能。SiC632和SiC632A采用威世（Vishay）专有的5 mm×5 mm MLP封装，使电压调节器设计能够每相提供高达50 A的连续电流。 内部功率MOSFET采用了威世最先进的第四代TrenchFET技术，该技术具有行业标杆性能，可显著降低开关损耗和传导损耗。 SiC632和SiC632A集成了先进的MOSFET栅极驱动IC，具有高电流驱动能力、自适应死区时间控制、集成自举肖特基二极管、可在结温过高时向系统发出警报的热警告（THWn）以及零电流检测功能，以提高轻载效率。这些驱动器还与多种PWM控制器兼容，并支持三态PWM、3.3 V（SiC632A）、5 V（SiC632）PWM逻辑。
商品特性
- 热增强型PowerPAK MLP55 - 31 L封装，符合RoHS标准
- 威世第四代MOSFET技术以及集成肖特基二极管的低端MOSFET
- 可提供高达50 A的连续电流
- 高效性能
- 高达1.5 MHz的高频运行
- 针对19 V输入级优化的功率MOSFET
- 具有三态和关断功能的3.3 V（SiC632A）、5 V（SiC632）PWM逻辑
- 用于提高轻载效率的零电流检测控制
- 低PWM传播延迟（<20 ns）
- 更快的关断速度
- 热监测标志
- VCIN欠压锁定
应用领域
- 用于计算、显卡和内存的多相VRD
- 英特尔IMVP - 8 VR功率传输 - 酷睿（VCORE）、图形（VGRAPHICS）、系统代理（VSYSTEM AGENT），适用于Skylake、Kabylake平台 - 适用于Apollo Lake平台的VCCGI
- 高达24 V轨输入的DC/DC VR模块