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SIC789ACD-T1-GE3

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品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SIC789ACD-T1-GE3
商品编号: C2653474
商品封装: MLP66-40(6x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.001克(g)

商品参数

	属性	参数值
	下降时间(tf)	-
	传播延迟 tpLH	-
	传播延迟 tpHL	-
	特性	欠压保护(UVP)；过热保护(OTP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	输入高电平(VIH)	2.2V~2.7V
	输入低电平(VIL)	720mV~1.1V
	静态电流(Iq)	290uA

商品概述

SiC789和SiC789A是为同步降压应用优化的集成功率级解决方案，可提供高电流、高效率和高功率密度性能。SiC789和SiC789A采用Vishay专有的6mm×6mm LP封装，使电压调节器设计能够每相提供高达60 A的连续电流。内部功率MOSFET采用了Vishay先进的第四代TrenchFET技术，该技术提供了行业基准性能，可显著降低开关和传导损耗。 SiC789和SiC789A集成了先进的MOSFET栅极驱动IC，具有高电流驱动能力、自适应死区时间控制、集成自举肖特基二极管、可在结温过高时向系统发出警报的热警告（THWn）以及可提高轻载效率的跳周期模式（SMOD#）。这些驱动器还与多种PWM控制器兼容，并支持三态PWM、3.3 V（SiC789A）和5 V（SiC789）PWM逻辑。

商品特性

热增强型PowerPAK MLP66 - 40 L封装，符合RoHS标准
采用Vishay第四代MOSFET技术，低侧MOSFET集成肖特基二极管，无卤素
可提供高达60 A的连续电流
峰值效率达95%
最高可实现1.5 MHz的高频运行
功率MOSFET针对12V输入级进行了优化
具有三态和闭锁功能的3.3 V（SiC789A）和5 V（SiC789）PWM逻辑
用于提高轻载效率的SMOD#逻辑
低PWM传播延迟（<20 ns）
热监测标志
更快的启用/禁用功能
VCIN欠压锁定

应用领域

用于CPU、GPU和内存的多相VRD

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	-
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	-
	灌电流(IOL)	-
	拉电流(IOH)	-
	工作电压	4.5V~18V
	上升时间(tr)	-