SIC789ACD-T1-GE3

SiC789和SiC789A是为同步降压应用优化的集成功率级解决方案，可提供高电流、高效率和高功率密度性能。SiC789和SiC789A采用Vishay专有的6mm×6mm LP封装，使电压调节器设计能够每相提供高达60 A的连续电流。 内部功率MOSFET采用了Vishay先进的第四代TrenchFET技术，该技术提供了行业基准性能，可显著降低开关和传导损耗。 SiC789和SiC789A集成了先进的MOSFET栅极驱动IC，具有高电流驱动能力、自适应死区时间控制、集成自举肖特基二极管、可在结温过高时向系统发出警报的热警告（THWn）以及可提高轻载效率的跳周期模式（SMOD#）。这些驱动器还与多种PWM控制器兼容，并支持三态PWM、3.3 V（SiC789A）和5 V（SiC789）PWM逻辑。

• 热增强型PowerPAK MLP66 - 40 L封装，符合RoHS标准
• 采用Vishay第四代MOSFET技术，低侧MOSFET集成肖特基二极管，无卤素
• 可提供高达60 A的连续电流
• 峰值效率达95%
• 最高可实现1.5 MHz的高频运行
• 功率MOSFET针对12V输入级进行了优化
• 具有三态和闭锁功能的3.3 V（SiC789A）和5 V（SiC789）PWM逻辑
• 用于提高轻载效率的SMOD#逻辑
• 低PWM传播延迟（<20 ns）
• 热监测标志
• 更快的启用/禁用功能
• VCIN欠压锁定

• 用于CPU、GPU和内存的多相VRD