SIC788CD-T1-GE3
SIC788CD-T1-GE3
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIC788CD-T1-GE3
- 商品编号
- C2653467
- 商品封装
- MLP66-40(6x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 工作电压 | 4.5V~18V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特性 | 过热保护 | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
商品概述
SiC788和SiC788A是为同步降压应用优化的集成功率级解决方案，可提供高电流、高效率和高功率密度性能。SiC788和SiC788A采用威世（Vishay）专有的6mm×6mm LP封装，使电压调节器设计能够每相提供高达50 A的连续电流。 内部功率MOSFET采用了威世最先进的第四代TrenchFET技术，该技术提供了行业基准性能，可显著降低开关和传导损耗。 SiC788和SiC788A集成了先进的MOSFET栅极驱动IC，具有高电流驱动能力、自适应死区时间控制、集成自举肖特基二极管、可在结温过高时向系统发出警报的热警告（THWn）以及可提高轻载效率的跳周期模式（SMOD#）。这些驱动器还与多种PWM控制器兼容，并支持三态PWM、3.3 V（SiC788A）和5 V（SiC788）PWM逻辑。
商品特性
- 热增强型PowerPAK MLP66-40 L封装，符合RoHS标准
- 威世第四代MOSFET技术，低侧MOSFET集成肖特基二极管，无卤素
- 可提供高达50 A的连续电流
- 峰值效率达95%
- 最高可实现1.5 MHz的高频运行
- 功率MOSFET针对12V输入级进行了优化
- 具有三态和关断功能的3.3 V（SiC788A）和5 V（SiC788）PWM逻辑
- 用于提高轻载效率的SMOD#逻辑
- 低PWM传播延迟（<20 ns）
- 热监测标志
- 更快的使能/禁用功能
- VCIN欠压锁定
应用领域
- 用于CPU、GPU和内存的多相VRD