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SIC534CD-T1-GE3

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描述: SiC534是一款针对同步降压应用优化的集成功率级解决方案，可提供大电流、高效率和高功率密度性能。SiC534采用威世（Vishay）专有的4.5 mm × 3.5 mm MLP封装，使电压调节器设计能够每相提供高达30 A的连续电流。内部功率MOSFET采用了威世最先进的第四代TrenchFET技术，该技术达到了行业标杆性能，可显著降低开关损耗和传导损耗
品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SIC534CD-T1-GE3
商品编号: C2653469
商品封装: MLP4535-22L(3.5x4.5)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.0828克(g)

商品参数

商品概述

SiC534是一款针对同步降压应用优化的集成功率级解决方案，可提供高电流、高效率和高功率密度性能。SiC534采用威世（Vishay）专有的4.5 mm×3.5 mm MLP封装，使电压调节器设计能够每相提供高达30 A的连续电流。内部功率MOSFET采用了威世最先进的第四代TrenchFET技术，该技术具有行业标杆性能，可显著降低开关和传导损耗。 SiC534集成了先进的MOSFET栅极驱动IC，具有高电流驱动能力、自适应死区时间控制、集成自举肖特基二极管和零电流检测功能，可提高轻载效率。该驱动器还与多种PWM控制器兼容，支持三态PWM和5 V PWM逻辑。该器件包含用户可选的二极管仿真模式（ZCD_EN#），以改善轻载性能。它还支持PS4模式，可在系统处于待机状态时降低功耗。

商品特性

热增强型PowerPAK MLP4535-22 L封装，符合RoHS标准
威世第四代MOSFET技术，低侧MOSFET集成肖特基二极管，无卤
可提供高达30 A的连续电流，10 ms峰值电流可达35 A
高效性能
高达2 MHz的高频运行
上电复位
具有三态和闭锁功能的5 V PWM逻辑
支持IMVP8轻载要求的PS4模式，关机电源电流低（5.3 A）
VCIN欠压锁定

应用领域

用于计算、显卡和内存的多相VRD
英特尔IMVP - 8 VR功率传输 - 酷睿（Skylake）、酷睿（Kabylake）平台的VCORE、VGRAPHICS、VSYSTEM AGENT - 阿波罗湖（Apollo Lake）平台的VCCGI
高达24轨输入的DC/DC VR模块

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	负载类型	MOSFET
	工作电压	4.5V~24V
	特性	欠压保护(UVP)

	属性	参数值
	工作温度	-40℃~+125℃
	输入高电平(VIH)	3.6V
	输入低电平(VIL)	1.3V
	静态电流(Iq)	3uA