温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SIC634CD-T1-GE3
集成功率级解决方案，适用于同步降压应用
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- SiC634是为同步降压应用优化的集成功率级解决方案，可提供高电流、高效率和高功率密度性能。SiC634采用威世（Vishay）专有的5 mm×5 mm MLP封装，使电压调节器设计能够每相提供高达50 A的连续电流。内部功率MOSFET采用了威世最先进的第四代TrenchFET技术，提供业界标杆性能，可显著降低开关和传导损耗。SiC634集成了先进的MOSFET栅极驱动IC，具有高电流驱动能力、自适应死区时间控制、集成自举肖特基二极管和零电流检测功能，可提高轻载效率。该驱动器还与多种PWM控制器兼容，支持三态PWM和5 V PWM逻辑。该器件包含用户可选的二极管仿真模式（ZCD_EN#），以改善轻载性能。器件还支持PS4模式，可在系统处于待机状态时降低功耗。
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIC634CD-T1-GE3
- 商品编号
- C2653472
- 商品封装
- MLP55-31L(5x5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.35克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 工作电压 | 4.5V~24V | |
| 传播延迟 tpLH | 15ns | |
| 传播延迟 tpHL | 20ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 3.6V~4.2V | |
| 输入低电平(VIL) | 720mV~1.3V | |
| 静态电流(Iq) | 80uA |
商品概述
SiC634是为同步降压应用优化的集成功率级解决方案，可提供高电流、高效率和高功率密度性能。SiC634采用威世（Vishay）专有的5 mm×5 mm MLP封装，使电压调节器设计能够每相提供高达50 A的连续电流。 内部功率MOSFET采用了威世最先进的第四代TrenchFET技术，提供业界标杆性能，可显著降低开关和传导损耗。 SiC634集成了先进的MOSFET栅极驱动IC，具有高电流驱动能力、自适应死区时间控制、集成自举肖特基二极管和零电流检测功能，可提高轻载效率。该驱动器还与多种PWM控制器兼容，支持三态PWM和5 V PWM逻辑。 该器件包含用户可选的二极管仿真模式（ZCD_EN#），以改善轻载性能。器件还支持PS4模式，可在系统处于待机状态时降低功耗。
商品特性
- 热增强型PowerPAK MLP55-31 L封装，符合RoHS标准
- 采用威世第四代MOSFET技术，低侧MOSFET集成肖特基二极管
- 可提供超过50 A的连续电流，10 ms峰值电流可达55 A
- 高效性能
- 高达2 MHz的高频运行
- 功率MOSFET针对19 V输入级进行优化
- 具有三态和闭锁功能的5 V PWM逻辑
- 支持IMVP8的PS4模式轻载要求，关机电源电流低（5 μA，3 μA）
- VCIN欠压锁定
应用领域
- 用于计算、显卡和内存的多相VRD
- 英特尔IMVP-8 VR功率传输 - 酷睿（Skylake）、酷睿（Kabylake）平台的VCORE、VGRAPHICS、VSYSTEM AGENT - 阿波罗湖（Apollo Lake）平台的VCCGI
- 高达24 V轨输入的DC/DC VR模块