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SIC639CD-T1-GE3

集成功率级解决方案，适用于同步降压应用

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描述: SiC639 是为同步降压应用优化的集成功率级解决方案，可提供大电流、高效率和高功率密度性能。SiC639 采用威世（Vishay）专有的 5 mm×5 mm MLP 封装，使电压调节器设计能够每相提供高达 50 A 的连续电流。内部功率 MOSFET 采用了最先进的第四代 TrenchFET 技术，该技术达到了行业标杆性能，可显著降低开关损耗和传导损耗
品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SIC639CD-T1-GE3
商品编号: C2653466
商品封装: MLP55-31L(5x5)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.001克(g)

商品参数

商品概述

SiC639是为同步降压应用优化的集成功率级解决方案，可提供高电流、高效率和高功率密度性能。SiC639采用威世（Vishay）专有的5 mm×5 mm MLP封装，使电压调节器设计能够每相提供高达50 A的连续电流。内部功率MOSFET采用了威世最先进的第四代TrenchFET技术，该技术提供了行业标杆性能，可显著降低开关和传导损耗。 SiC639集成了先进的MOSFET栅极驱动IC，具有高电流驱动能力、自适应死区时间控制、集成自举肖特基二极管、用于在结温过高时向系统发出警报的热警告（THWn）以及用于提高轻载效率的零电流检测功能。该驱动器还与多种PWM控制器兼容，并支持三态PWM、3.3 V和5 V PWM逻辑。

商品特性

热增强型PowerPAK MLP55-31 L封装，符合RoHS标准
威世第四代MOSFET技术，低侧MOSFET集成肖特基二极管
可提供高达50 A的连续电流
高效性能
高达1.5 MHz的高频运行
针对19 V输入级优化的功率MOSFET
支持三态和关断功能的3.3 V、5 V PWM逻辑
用于提高轻载效率的零电流检测控制
低PWM传播延迟（< 20 ns）
更快的关断速度
热监测标志
VCIN欠压锁定

应用领域

用于计算、显卡和内存的多相VRD
英特尔IMVP - 8/9 VR电源输送 - 酷睿（Skylake）、酷睿（Kabylake）平台的VCORE、VGRAPHICS、VSYSTEM AGENT - 阿波罗湖（Apollo Lake）平台的VCCGI
高达24 V轨输入的DC/DC VR模块

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	负载类型	MOSFET
	工作电压	2.7V~24V
	传播延迟 tpLH	10ns
	传播延迟 tpHL	15ns

	属性	参数值
	特性	欠压保护(UVP)；过热保护(OPT)
	工作温度	-40℃~+125℃
	输入高电平(VIH)	4.2V
	输入低电平(VIL)	720mV
	静态电流(Iq)	5uA