SIC638CD-T1-GE3
SIC638CD-T1-GE3
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIC638CD-T1-GE3
- 商品编号
- C2653463
- 商品封装
- MLP55-31L(5x5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 工作电压 | 2.7V~24V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特性 | - | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
商品概述
SiC638是为同步降压应用优化的集成功率级解决方案，可提供高电流、高效率和高功率密度性能。SiC638采用威世（Vishay）专有的5 mm×5 mm MLP封装，使电压调节器设计能够每相提供高达50 A的连续电流。 内部功率MOSFET采用了威世最先进的第四代TrenchFET技术，该技术提供了行业基准性能，可显著降低开关和传导损耗。 SiC638集成了先进的MOSFET栅极驱动IC，具有高电流驱动能力、自适应死区时间控制、集成自举肖特基二极管、热警告（THWn，可在结温过高时向系统发出警报）以及零电流检测功能，以提高轻载效率。该驱动器还与多种PWM控制器兼容，并支持三态PWM、3.3 V和5 V PWM逻辑。
商品特性
- 热增强型PowerPAK MLP55 - 31 L封装，符合RoHS标准
- 威世第四代MOSFET技术，低侧MOSFET集成肖特基二极管，无卤
- 可提供高达50 A的连续电流
- 高效性能
- 高达1.5 MHz的高频运行
- 针对19 V输入级优化的功率MOSFET
- 支持三态和关断功能的3.3 V、5 V PWM逻辑
- 零电流检测控制，提高轻载效率
- 低PWM传播延迟（< 20 ns）
- 更快的关断速度
- 热监测标志
- VCIN欠压锁定
应用领域
- 用于计算、显卡和内存的多相VRD
- 英特尔IMVP - 8 VR电源输送 - 酷睿（Skylake）、酷睿（Kabylake）平台的VCORE、VGRAPHICS、VSYSTEM AGENT；阿波罗湖（Apollo Lake）平台的VCCGI
- 高达24 V轨输入的DC/DC VR模块