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SIC631CD-T1-GE3
SiC631 集成电源级解决方案
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- 描述
- SiC631 是用于同步降压应用的集成电源级解决方案,提供高电流、高效率和高功率密度性能。采用 Vishay 的第四代 MOSFET 技术和低侧 MOSFET,支持高达 50A 的连续电流。支持高达 2MHz 的高频操作,优化了开关和传导损耗。内置先进的 MOSFET 栅极驱动器 IC,具有高电流驱动能力、自适应死区时间控制、集成的 Bootstrap 肖特基二极管和零电流检测功能,以提高轻载效率。支持多种 PWM 控制器,包括 PS4 模式和 5V PWM 逻辑。
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIC631CD-T1-GE3
- 商品编号
- C2653465
- 商品封装
- MLP55-31L(5x5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.233克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DC-DC电源芯片 | |
| 功能类型 | 降压型 | |
| 工作电压 | 4.5V~24V | |
| 输出电压 | - | |
| 输出电流 | 50A | |
| 开关频率 | 300kHz~2MHz | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 同步整流 | 是 | |
| 输出通道数 | 1 | |
| 拓扑结构 | 降压式 | |
| 静态电流(Iq) | - | |
| 开关管(内置/外置) | 内置 | |
| 输出类型 | - |
商品概述
SiC631是专为同步降压应用优化的集成功率级解决方案，可提供高电流、高效率和高功率密度性能。SiC631采用威世（Vishay）专有的5 mm×5 mm MLP封装，使电压调节器设计能够每相提供高达50 A的连续电流。 内部功率MOSFET采用了威世最先进的第四代TrenchFET技术，该技术提供了行业基准性能，可显著降低开关损耗和传导损耗。 SiC631集成了先进的MOSFET栅极驱动IC，具有高电流驱动能力、自适应死区时间控制、集成自举肖特基二极管和零电流检测功能，以提高轻载效率。该驱动器还与多种PWM控制器兼容，支持三态PWM和5 V PWM逻辑。 它包含用户可选的二极管仿真模式（ZCD_EN#），以改善轻载性能。该器件还支持PS4模式，以降低系统在待机状态下的功耗。
商品特性
- 热增强型PowerPAK MLP55-31L封装，符合RoHS标准
- 威世第四代MOSFET技术和集成肖特基二极管的低端MOSFET
- 可提供超过50 A的连续电流，10 ms峰值电流可达55 A
- 高效性能
- 高达2 MHz的高频运行
- 针对19 V输入级优化的功率MOSFET
- 具有三态和闭锁功能的5 V PWM逻辑
- 支持IMVP8的PS4模式轻载要求，关机电源电流低（5 μA，3 μA）
- VCIN欠压锁定
应用领域
- 用于计算、显卡和内存的多相VRD
- 英特尔IMVP - 8 VR功率传输 - VCORE、VGRAPHICS、VSYSTEM AGENT（Skylake、Kabylake平台） - 阿波罗湖平台的VCCGI
- 高达24 V轨输入的DC/DC VR模块
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
总价金额：
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