PWD13F60TR

一款高密度功率驱动器，采用双半桥配置，集成了栅极驱动器和四个N沟道功率MOSFET。 集成的功率MOSFET具有320 mΩ的低导通电阻（RDS(on)）和600 V的漏源击穿电压，而嵌入式栅极驱动器的高端可通过集成的自举二极管轻松供电。该器件的高度集成性使其能够在狭小空间内高效驱动负载。 该器件的电源电压（VCC）范围广泛，并通过电源电压的低压欠压锁定（UVLO）检测进行保护。 输入引脚的宽范围允许其轻松与微控制器、DSP单元或霍尔效应传感器接口。 该器件采用紧凑的VFQFPN封装。

• 集成栅极驱动器和高压功率MOSFET的功率系统级封装
• 低导通电阻RDS(on)=320 mΩ
• 漏源击穿电压BVDSS=600 V
• 适用于全桥或双独立半桥运行
• 宽驱动器电源电压，低至6.5 V
• 电源电压欠压锁定（UVLO）保护
• 3.3 V至15 V兼容输入，具有迟滞和下拉功能
• 互锁功能，防止交叉导通
• 内部自举二极管
• 输出与输入同相
• 布局非常紧凑且简化
• 设计灵活、简便、快速

• 工业和家用电器的电机驱动器
• 工厂自动化
• 风扇和泵
• 高强度气体放电灯（HID）、镇流器
• 电源单元、DC-DC和DC-AC转换器