SIC530CD-T1-GE3
SIC530CD-T1-GE3
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIC530CD-T1-GE3
- 商品编号
- C2653442
- 商品封装
- MLP4535-22L(3.5x4.5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 拉电流(IOH) | 350uA | |
| 工作电压 | 4.5V~20V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 20ns | |
| 特性 | - | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
商品概述
SiC530是一款针对同步降压应用优化的集成功率级解决方案，可提供大电流、高效率和高功率密度性能。SiC530采用威世（Vishay）专有的4.5 mm × 3.5 mm MLP封装，使电压调节器设计能够每相提供高达30 A的连续电流。 内部功率MOSFET采用了威世最先进的第四代TrenchFET技术，该技术具有行业标杆性能，可显著降低开关损耗和传导损耗。 SiC530集成了先进的MOSFET栅极驱动IC，具有大电流驱动能力、自适应死区时间控制、集成自举肖特基二极管和零电流检测功能，可提高轻载效率。该驱动器还与多种PWM控制器兼容，支持三态PWM和5 V PWM逻辑。 该器件包含用户可选的二极管仿真模式（ZCD_EN#）功能，以改善轻载性能。它还支持PS4模式，可在系统处于待机状态时降低功耗。
商品特性
- 热增强型PowerPAK MLP4535-22 L封装，符合RoHS标准
- 采用威世第四代MOSFET技术，低侧MOSFET集成肖特基二极管，无卤
- 可提供高达30 A的连续电流，10 ms峰值电流可达40 A
- 高效性能
- 最高2 MHz的高频运行
- 上电复位
- 具有三态和闭锁功能的5 V PWM逻辑
- 支持IMVP8的PS4模式轻载要求，关断电源电流低（5 μA）
- VCIN欠压锁定
应用领域
- 用于CPU、GPU和内存的多相VRD
- 英特尔IMVP-8 IA / GT核心电源
- 最高18 V轨输入的DC/DC VR模块