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HPESD5V0U1BA,115
双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：2A@8/20us
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- 描述
- 这款Bi双向单通道保护器件，电压额定值5V（VRWM），能有效抑制2.5A瞬态电流（IPP），其低至2.5pF的电容（CJ typ）设计，大大减少了信号干扰，是保护精密电路、维持信号纯净度的理想选择，适用于各类对电容敏感及需双向保护的电子应用。
- 商品型号
- HPESD5V0U1BA,115
- 商品编号
- C25503780
- 商品封装
- SOD-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0235克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 双向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 5V | |
| 钳位电压 | 12.9V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 2A@8/20us | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 30W@8/20us | |
| 击穿电压(VBR) | 5.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 1uA | |
| 通道数 | 单路 | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 2.5pF |
商品概述
HPESD5V0U1BA,115 可保护敏感的半导体组件免受静电放电及其他电压感应瞬态事件造成的损坏或干扰。其卓越的钳位能力、低泄漏电流、低电容和快速响应时间为暴露于静电放电的设计提供了同类防护。它为设计者提供了灵活性，可在不适用阵列的应用中保护一条双向线路。SOD-323封装。
商品特性
- 小巧的封装外形尺寸
- 低封装高度
- 峰值功率高达30W（8×20μs脉冲条件下）
- 低泄漏电流
- 典型响应时间 < 1 ns
- IEC61000-4-2 4级静电放电防护
- IEC61000-4-4 4级电快速瞬变脉冲群防护