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HPJGBLC05C_R1

双向ESD 5V截止峰值浪涌电流：2A@8/20us

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描述: 这款Bi双向单通道保护器件，专为电压5V应用设计（VRWM），能承受2.5A峰值瞬态电流（IPP），其低电容特性，仅2.5pF（CJ typ），确保了极小信号畸变，非常适合于保护对信号质量有严格要求的电路，是高端电子设备保护方案的理想之选。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: HPJGBLC05C_R1
商品编号: C25503781
商品封装: SOD-323
包装方式: 编带
商品毛重: 0.0235克(g)

商品参数

商品概述

HPJGBLC05C_R1用于保护敏感的半导体组件，防止其因静电放电(ESD)及其他电压感应瞬态事件而受损或功能失常。其卓越的钳位能力、低泄漏电流、低电容以及快速响应时间，为暴露于ESD环境的设计提供了同类别产品中一流的保护性能。该器件为设计者提供了灵活性，可在不适用阵列配置的应用中保护一条双向线路。封装形式为SOD-323。

商品特性

小巧的封装外形尺寸
低封装高度
在8×20微秒脉冲条件下，峰值功率高达30W
低漏电流
响应时间典型值小于1 ns
符合IEC61000-4-2标准第4级ESD防护要求
符合IEC61000-4-4标准第4级EFT防护要求

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静电和浪涌保护(TVS/ESD)
	极性	双向
	反向截止电压(Vrwm)	5V
	钳位电压	12.9V
	峰值脉冲电流(Ipp)	2A@8/20us
	峰值脉冲功率(Ppp)	30W@8/20us
	击穿电压(VBR)	5.4V

	属性	参数值
	反向电流(Ir)	1uA
	通道数	单路
	工作温度	-40℃~+125℃
	防护等级	IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-2
	类型	ESD
	Cj-结电容	2.5pF