温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HDESD5V0U1BA-7
双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：2A@8/20us
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 这款Bi双向保护器件专为单一通道设计，耐压5伏特（VRWM），能有效遏制2.5安培的脉冲电流冲击（IPP），且其电容值仅为2.5皮法（CJ typ），在确保电路安全的同时，最大限度地减少了对信号的干扰，是精密电路和敏感电子应用中不可多得的守护者。
- 商品型号
- HDESD5V0U1BA-7
- 商品编号
- C25503783
- 商品封装
- SOD-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0235克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 双向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 5V | |
| 钳位电压 | 12.9V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 2A@8/20us | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 30W@8/20us | |
| 击穿电压(VBR) | 5.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 1uA | |
| 通道数 | 单路 | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 2.5pF |
商品概述
HDESD5V0U1BA-7器件用于保护敏感的半导体组件，防止其因静电放电及其他电压引起的瞬态事件而受损或功能失常。其优异的钳位能力、低泄漏电流、低电容和快速响应时间为暴露在ESD环境下的设计提供一流的保护。该器件为设计者提供了灵活性，可在不适用阵列的应用中保护一条双向线路。采用SOD-323封装。
商品特性
- 小巧的封装外形尺寸
- 低封装高度
- 在8×20μs脉冲下，峰值功率可达30W
- 低泄漏电流
- 响应时间典型值< 1 ns
- IEC61000-4-2 Level 4 ESD保护
- IEC61000-4-4 Level 4 EFT保护