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HSEN1211D3实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

HSEN1211D3

单向ESD 12V截止 峰值浪涌电流:12A

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描述
此款Uni单向防护元件,专为单通道设计,集成了12V耐压(VRWM)与12A浪涌吸收能力(IPP),在保障系统安全的同时,展现出卓越的保护性能。其紧凑结构内含110皮法电容(CJ typ),优化信号通过性,适用于需要高效防护与信号纯净度的精密电子领域。
商品型号
HSEN1211D3
商品编号
C25503798
商品封装
SOD-323​
包装方式
编带
商品毛重
0.023克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静电和浪涌保护(TVS/ESD)
极性单向
反向截止电压(Vrwm)12V
钳位电压33V
峰值脉冲电流(Ipp)12A
峰值脉冲功率(Ppp)350W@8/20us
击穿电压(VBR)13.3V
属性参数值
反向电流(Ir)1uA
通道数单路
工作温度-40℃~+125℃
防护等级IEC 61000-4-2
类型ESD
Cj-结电容110pF

商品概述

HSEN1211D3 可保护敏感的半导体组件免受静电放电及其他电压引起的瞬态事件的损坏或干扰。其优异的钳位能力、低泄漏电流、低电容和快速响应时间,为暴露于静电放电环境的设计提供了同类防护。该器件为设计人员提供了灵活性,可在不适用阵列的应用中保护一条单向线路。封装为 SOD-323。

商品特性

  • 单向静电放电保护,适用于一条线路
  • 反向截止电压:最大值 12.0V
  • 低泄漏电流:微安级
  • 响应时间典型值 < 1 us
  • 低钳位电压:Vc = 33V @ Ipp = 12A
  • 静电放电防护:30kV(空气放电)/ 30kV(接触放电)(符合 IEC61000-4-2 标准)
  • 符合 RoHS 标准

数据手册PDF