- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDB070AN06A0
N沟道,电流:80A,耐压:60V
- 描述
- N 沟道 PowerTrench MOSFET 60V，80A，7 m?，此款最新的屏蔽门极 PowerTrench MOSFET 具有更小的 QSYNC 和软反向恢复本征体二极管性能，开关速度快，可大幅提高同步整流的效率。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDB070AN06A0
- 商品编号
- C241747
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.27克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 175W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 66nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 230pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 510pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 当VGS = 10 V、ID = 80 A时,RDS(on) = 6.1 mΩ(典型值)
- 当VGS = 10 V时,Qg(tot) = 51 nC(典型值)
- 低米勒电荷
- 低Qrr体二极管
- 具有UIS能力(单脉冲和重复脉冲)
应用领域
-ATX/服务器/电信电源的同步整流-电池保护电路-电机驱动和不间断电源