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SI7216DN-T1-GE3-HXY
2个N沟道 耐压:40V 电流:20A 停产
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- 描述
- SI7216DN-T1-GE3 型号MOS管是一款高性能N+N沟道半导体元件，采用紧凑型DFN3X3-8L封装，专为现代电子产品的节能与小型化设计。该器件具备40V的额定电压VDSS，能稳定承受20A的连续电流ID，突显出卓越的功率处理能力。同时，其17mR的超低导通电阻有效提升了能源效率，降低了系统损耗。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等场景，出厂前经过严格质检，确保在不同应用环境下都能展现卓越且稳定的性能表现。
- 商品型号
- SI7216DN-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C22366620
- 商品封装
- DFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.064克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.013nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 76pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 107pF |
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