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MMBF2201NT1G
1个N沟道 耐压:20V 电流:300mA
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- 描述
- N沟道,20V,0.3A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- MMBF2201NT1G
- 商品编号
- C232552
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V,300mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 45pF@5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这些微型表面贴装MOSFET的低导通电阻RDS(on)可确保最小的功率损耗并节省能源，使这些器件非常适合用于小型电源管理电路。
商品特性
- 低导通电阻RDS(on)可提高效率并延长电池寿命
- 微型SC - 70/SOT - 323表面贴装封装节省电路板空间
- NVF前缀适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用；符合AEC - Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
- 这些器件为无铅产品，符合RoHS标准
应用领域
- 直流 - 直流转换器
- 便携式和电池供电产品（如计算机、打印机、PCMCIA卡、移动电话和无绳电话）的电源管理