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STB270N4F3
1个N沟道 耐压:40V 电流:160A
- 描述
- 汽车级N沟道40 V、1.6 mOhm典型值、160 A STripFET F3功率MOSFET，D2PAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STB270N4F3
- 商品编号
- C221492
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 160A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 330W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 150nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 47pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.8nF |
商品概述
该器件是采用STripFETTM F3技术开发的N沟道功率MOSFET。其设计旨在将导通电阻和栅极电荷降至最低,以提供卓越的开关性能。
商品特性
- 专为汽车应用设计,符合AEC-Q101标准
- 经过100%雪崩测试
- 标准阈值驱动
应用领域
-开关应用