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STD6NK50ZT4
1个N沟道 耐压:500V 电流:5.6A
- 描述
- N沟道,500V,5.6A,1.2Ω@10V
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD6NK50ZT4
- 商品编号
- C222129
- 商品封装
- TO-252-2(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.475克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 90W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 690pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
SuperMESH™ 系列是对意法半导体（ST）成熟的基于条形结构的 PowerMESH™ 布局进行极致优化的成果。除了显著降低导通电阻外，还特别注重确保该系列在最严苛的应用中具备出色的 dv/dt 能力。该系列产品完善了意法半导体的高压 MOSFET 全系列产品，其中包括具有革新性的 MDmesh™ 产品。
商品特性
- 极高的 dv/dt 能力
- 100% 雪崩测试
- 栅极电荷极小
- 极低的本征电容
- 极佳的制造重复性
应用领域
- 大电流、高速开关
- 非常适合离线式电源、适配器和功率因数校正(PFC)
- 照明