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STP76NF75
1个N沟道 耐压:75V 电流:80A
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- 描述
- N沟道75 V、0.0095 Ohm典型值、80 A STripFET II功率MOSFET，TO-220封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP76NF75
- 商品编号
- C193276
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.74克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 75V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 160nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.7nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 240pF@25V | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - |
商品概述
这款功率MOSFET采用独特的“单一特征尺寸”条形工艺，是该工艺的最新成果。由此制成的晶体管具有极高的封装密度，可实现低导通电阻、出色的雪崩特性，且对准步骤要求较低，因此具备卓越的制造重现性。
商品特性
- 电流受封装限制
- 出色的dv/dt能力
- 100%经过雪崩测试
应用领域
- 开关应用
- 汽车领域
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