温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STL8N10F7
1个N沟道 耐压:100V 电流:35A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- N沟道100 V、0.017 Ohm典型值、35 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 3.3x3.3封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STL8N10F7
- 商品编号
- C222400
- 商品封装
- PowerVDFN-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.348克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@50V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.64nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款N沟道功率MOSFET采用了STripFET™ F7技术，其沟槽栅极结构经过优化，不仅能实现极低的导通电阻，还能降低内部电容和栅极电荷，从而实现更快、更高效的开关操作。
商品特性
- 市场上最低的导通电阻（RDS(on)）之一
- 出色的品质因数（FoM）
- 低Crss/Ciss比，具备抗电磁干扰（EMI）能力
- 高雪崩耐量
应用领域
- 开关应用
相似推荐
其他推荐