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STL8N10F7
1个N沟道 耐压:100V
描述
N沟道100 V、0.017 Ohm典型值、35 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 3.3x3.3封装
- 品牌名称ST(意法半导体)
商品型号
STL8N10F7商品编号
C222400商品封装
PowerVDFN-8包装方式
编带
商品毛重
0.348克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 20mΩ@10V,4A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功率(Pd) | 2.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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