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SI7956DP-T1-GE3
2个N沟道 耐压:150V 电流:2.6A
- 描述
- 双N沟道,150V,4.1A,0.105Ω@10V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7956DP-T1-GE3
- 商品编号
- C222413
- 商品封装
- PowerPAK-SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 115mΩ@6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 类型 | N沟道 |
交货周期
订货7-9个工作日购买数量
(1个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单
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