温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SI7956DP-T1-GE3
2个N沟道 耐压:150V 电流:2.6A
- 描述
- 双N沟道,150V,4.1A,0.105Ω@10V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7956DP-T1-GE3
- 商品编号
- C222413
- 商品封装
- PowerPAK-SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 115mΩ@6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 标准的无卤产品
- TrenchFET 功率 MOSFET
- 采用新型低热阻 PowerPAK 封装,导通电阻低
- 双 MOSFET 设计,节省空间
- 100% 进行栅极电阻(Rg)测试
应用领域
- 高效初级侧开关
- 半桥和正激转换器
相似推荐
其他推荐
- SQD50N06-09L_GE3
- SI7234DP-T1-GE3
- SI7143DP-T1-GE3
- SI7370DP-T1-GE3
- SI7613DN-T1-GE3
- SIR890DP-T1-GE3
- SUD40N10-25-E3
- SQM120N10-3M8_GE3
- SISS23DN-T1-GE3
- SUM110P04-04L-E3
- SUP85N10-10-GE3
- SI7192DP-T1-GE3
- SI4840BDY-T1-E3
- SQM120P06-07L_GE3
- SI3457CDV-T1-GE3
- SQM90142E_GE3
- IRFI9Z34GPBF
- SIHG23N60E-GE3
- SIHP25N40D-GE3
- SUD70090E-GE3
- SI4463CDY-T1-GE3