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SI4463CDY-T1-GE3
1个P沟道 耐压:20V 电流:13.6A 电流:49A
- 描述
- P沟道,-20V,-18.6A,0.008Ω@-10V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI4463CDY-T1-GE3
- 商品编号
- C222472
- 商品封装
- SOIC-8-150mil
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.245克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 20W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 81nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.25nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 830pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 840pF |
交货周期
订货3-5个工作日购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个2500个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单