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SI2366DS-T1-GE3
1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
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- 描述
- N沟道,30V,5.8A,0.036Ω@10V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI2366DS-T1-GE3
- 商品编号
- C222498
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 335pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
优惠活动
购买数量
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