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SI1023CX-T1-GE3实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SI1023CX-T1-GE3

2个P沟道 耐压:20V 电流:0.45A

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描述
双P沟道,-20V,-0.45A,0.756Ω@-4.5V
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SI1023CX-T1-GE3
商品编号
C222509
商品封装
SC-89​
包装方式
编带
商品毛重
0.11克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)450mA
导通电阻(RDS(on))2.4Ω@1.5V
耗散功率(Pd)180mW
阈值电压(Vgs(th))1V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)2.5nC@4.5V
输入电容(Ciss)45pF
反向传输电容(Crss)10pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)15pF

商品特性

  • 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤标准
  • TrenchFET 功率 MOSFET
  • 100% 进行 Rg 测试
  • 典型静电放电 (ESD) 保护:1000 V(人体模型)
  • 快速开关速度
  • 符合 RoHS 指令 2002/95/EC

应用领域

-便携式设备的负载和小信号开关-驱动器:继电器、螺线管、显示器、灯具-电池供电系统-智能手机、平板电脑

数据手册PDF