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SI7172DP-T1-GE3
1个N沟道 耐压:200V 电流:25A
- 描述
- N沟道,200V,25A,0.07Ω@10V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7172DP-T1-GE3
- 商品编号
- C222557
- 商品封装
- PowerPAK-SO-8
- 包装方式
- -
- 商品毛重
- 0.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 76mΩ@6V | |
| 耗散功率(Pd) | 11.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 77nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.25nF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 低热阻PowerPAK封装
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 初级侧开关
- 工业领域
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