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SI4909DY-T1-GE3
2个P沟道 耐压:40V 电流:8A
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- 描述
- 双P沟道,-40V,-8A,0.027Ω@-10V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI4909DY-T1-GE3
- 商品编号
- C222523
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.245克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 34mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 63pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 240pF |
商品特性
- 根据IEC 61249-2-21定义，无卤
- 沟槽式场效应晶体管（TrenchFET）功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻（Rg）测试
- 100%进行非钳位感性开关（UIS）测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 负载开关
- 笔记本电脑
- 台式电脑