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SI7994DP-T1-GE3
双N沟道，30 V（D-S）MOSFET
- 描述
- 特性：无卤。 TrenchFET功率MOSFET。应用：系统电源DC/DC。 笔记本电脑
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7994DP-T1-GE3
- 商品编号
- C222512
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- -
- 商品毛重
- 0.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC | |
| 输入电容(Ciss) | 450pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
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