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SIA527DJ-T1-GE3
1个N沟道+1个P沟道 耐压:12V 电流:4.5A
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- 描述
- N+P双沟道,12V/4.5A(-12V/-4.5A)
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIA527DJ-T1-GE3
- 商品编号
- C222486
- 商品封装
- PowerPAK-SC-70-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 174mΩ@1.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 7.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF@6V | |
| 反向传输电容(Crss) | 250pF@6V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
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